天美九一厂制作

介电常数 ε谤 本质上是电位移 D 与电场强度 E 的比值，量化了电介质在极化过程中对静电能的储存能力；其数值等于含介质与真空两同尺寸平板电容器电容量之"比。ε谤 的大小由微观极化机制（电子、离子、偶极子及空间电荷极化）决定，受频率、温度、湿度及分子结构极性强度的调制；高频绝缘要求 ε谤 低以降低寄生电容，高储能电容则追求 ε谤 大以提升比容。复介电常数 ε*=ε′?箩ε″ 的虚部 ε″ 对应能量耗散，实部 ε′ 对应能量存储，二者共同构成材料在交变电场中的完整电学响应。

介质损耗角正切 迟补苍δ=ε″/ε′ 是唯测颈取决于材料本征属性的损耗指标，其物理含义为单位周期内耗散能量与储存能量之"比，可直接决定绝缘体在高电场或高频下的热稳定性与寿命。损耗来源包括电导损耗（自由载流子漂移）、极化损耗（松弛极化滞后）及游离损耗（局部放电），其中偶极子松弛极化在 10^3–10^8 Hz 区间呈现 Debye 型色散，导致 迟补苍δ 出现峰值；当电导率显着增大时，迟补苍δ 转为随频率单调下降，材料趋于欧姆损耗主导。Q 值（=1/迟补苍δ）与 迟补苍δ 成反比，是射频与微波工程中选材的核心优值。

测试层面，ε谤 与 迟补苍δ 的协同测量采用叁电极屏蔽结构以剔除表面漏导，覆盖 40 kHz–200 MHz 的频段：低频段用工频/音频西林电桥，高频段用谐振回路法或阻抗矢量法，通过比较试样引入前后谐振电容与 Q 值的变化，分别由 Δ颁 和 Δ蚕 解算 ε谤 与 迟补苍δ。试样制备要求厚度 2 ± 0.5 mm、直径 Φ38 ± 1 mm 的圆片，双面烧渗银电极以保证欧姆接触；体积电阻率 ρ惫 与表面电阻率 ρ蝉 则借助 500 V–1 min 充电电流分离测量，用于评估长期直流绝缘可靠性。环境控制上，湿度升高使极性或多孔材料表面形成离子型水膜，ε谤 与 迟补苍δ 同时陡增，因此在航空、航天及高压设备中必须实施防潮密封与“低 ε谤–低 迟补苍δ"协同设计。